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金属氧化物半导体集成电路

 [  jīn shǔ yǎnɡ huà wù bàn dáo tǐ jí chénɡ diàn lù  ]

基本释义

  • jīn shǔ yǎnɡ huà wù bàn dáo tǐ jí chénɡ diàn lù
  • ㄐ一ㄣ ㄕㄨˇ 一ㄤˇ ㄏㄨㄚˋ ㄨˋ ㄅㄢˋ ㄉㄠˇ ㄊ一ˇ ㄐ一ˊ ㄔㄥˊ ㄉ一ㄢˋ ㄌㄨˋ
  • 金屬氧化物半導體積體電路
  • qqq ntk ruk wx cq ug nf wsg wys dn jn kht

词典解释

⒈  简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低,但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。

近义词、反义词

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